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MS1076C

MS1076C

僅供參考

型號 MS1076C
PNEDA編號 MS1076C
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS1076C資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS1076C
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS1076C規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

11dB

功率-最大

180mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

14dB ~ 16dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

增益

17dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

SOT-343F

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

20GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

12dB

功率-最大

735mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 100mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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