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MRFE8VP8600HSR5

MRFE8VP8600HSR5

僅供參考

型號 MRFE8VP8600HSR5
PNEDA編號 MRFE8VP8600HSR5
描述 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE8VP8600HSR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE8VP8600HSR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF

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MRFE8VP8600HSR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率860MHz
增益21dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)20µA
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出140W
電壓-額定115V
包裝/箱NI-1230-4S
供應商設備包裝NI-1230-4S

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噪聲系數

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當前-測試

1.1A

功率-輸出

35W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-502B

供應商設備包裝

SOT502B

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.81GHz

增益

17.9dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

1.6A

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電壓-額定

65V

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噪聲系數

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當前-測試

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電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

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頻率

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

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電壓-額定

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

18dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

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當前-測試

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