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MRFE6VP61K25HSR5

MRFE6VP61K25HSR5

僅供參考

型號 MRFE6VP61K25HSR5
PNEDA編號 MRFE6VP61K25HSR5
描述 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP61K25HSR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP61K25HSR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6VP61K25HSR5, MRFE6VP61K25HSR5數據表 (總頁數: 23, 大小: 967.15 KB)
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MRFE6VP61K25HSR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益24dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出1250W
電壓-額定133V
包裝/箱NI-1230-4S
供應商設備包裝NI-1230-4S

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NXP USA Inc.

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頻率

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增益

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電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.69GHz

增益

16.3dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

15.5W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400-240

供應商設備包裝

NI-400-240

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

450MHz

增益

22dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

300W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-270AB

供應商設備包裝

TO-270 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.88GHz

增益

15.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

63W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-1230S

供應商設備包裝

NI-1230S

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LDMOS

頻率

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

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-

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