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MRFE6S9160HSR3

MRFE6S9160HSR3

僅供參考

型號 MRFE6S9160HSR3
PNEDA編號 MRFE6S9160HSR3
描述 FET RF 66V 880MHZ NI-780S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6S9160HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6S9160HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6S9160HSR3, MRFE6S9160HSR3數據表 (總頁數: 13, 大小: 543.59 KB)
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MRFE6S9160HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益21dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.2A
功率-輸出35W
電壓-額定66V
包裝/箱NI-780S
供應商設備包裝NI-780S

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噪聲系數

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100mA

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120W

電壓-額定

60V

包裝/箱

SOT-502A

供應商設備包裝

LDMOST

制造商

NXP USA Inc.

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

11.5W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-400S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.62GHz

增益

16dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

7W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-780S

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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頻率

800MHz

增益

23dB

電壓-測試

5V

額定電流(安培)

40mA

噪聲系數

1.6dB

當前-測試

15mA

功率-輸出

-

電壓-額定

8V

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增益

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50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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