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MRFE6S9125NR1

MRFE6S9125NR1

僅供參考

型號 MRFE6S9125NR1
PNEDA編號 MRFE6S9125NR1
描述 FET RF 66V 880MHZ TO-270-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6S9125NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6S9125NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6S9125NR1, MRFE6S9125NR1數據表 (總頁數: 18, 大小: 658.18 KB)
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MRFE6S9125NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益20.2dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出27W
電壓-額定66V
包裝/箱TO-270AB
供應商設備包裝TO-270 WB-4

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包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

2.17GHz

增益

15.6dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

72W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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晶體管類型

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頻率

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電壓-測試

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額定電流(安培)

15mA

噪聲系數

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當前-測試

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制造商

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系列

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頻率

1.81GHz ~ 1.88GHz

增益

18.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

55W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-502B

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

950mA

功率-輸出

22W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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