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MRF9080LR3

MRF9080LR3

僅供參考

型號 MRF9080LR3
PNEDA編號 MRF9080LR3
描述 FET RF 65V 960MHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF9080LR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF9080LR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF9080LR3, MRF9080LR3數據表 (總頁數: 11, 大小: 252.64 KB)
PDFMRF9080LR3數據表 封面
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MRF9080LR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率960MHz
增益18.5dB
電壓-測試26V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試600mA
功率-輸出70W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

500mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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制造商

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系列

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頻率

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增益

12dB

電壓-測試

32V

額定電流(安培)

4µA

噪聲系數

-

當前-測試

400mA

功率-輸出

400W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-502A

供應商設備包裝

SOT502A

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.4GHz

增益

18dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

330W

電壓-額定

100V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

950mA

功率-輸出

22W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-272BB

供應商設備包裝

TO-272 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

17.4dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

350mA

功率-輸出

169W

電壓-額定

65V

包裝/箱

OM780-4

供應商設備包裝

OM780-4

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