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MRF8P20140WHR3

MRF8P20140WHR3

僅供參考

型號 MRF8P20140WHR3
PNEDA編號 MRF8P20140WHR3
描述 FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P20140WHR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P20140WHR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8P20140WHR3, MRF8P20140WHR3數據表 (總頁數: 17, 大小: 516.91 KB)
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MRF8P20140WHR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率1.88GHz ~ 1.91GHz
增益16dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試500mA
功率-輸出24W
電壓-額定65V
包裝/箱NI780-4
供應商設備包裝NI-780-4

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額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-880

供應商設備包裝

NI-880

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.66GHz

增益

15.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

20W

電壓-額定

68V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

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頻率

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增益

15dB

電壓-測試

125V

額定電流(安培)

9A

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

100W

電壓-額定

500V

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-880

供應商設備包裝

NI-880

PTVA030121EAV1XWSA1

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頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

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供應商設備包裝

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