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MRF8372GR1

MRF8372GR1

僅供參考

型號 MRF8372GR1
PNEDA編號 MRF8372GR1
描述 RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8372GR1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8372GR1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MRF8372GR1規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)16V
頻率-過渡870MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8dB ~ 9.5dB
功率-最大2.2W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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晶體管類型

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20V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

67 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

300MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Renesas Electronics America Inc.

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5 NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

11dB

功率-最大

180mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

250MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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