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MRF7P20040HR5

MRF7P20040HR5

僅供參考

型號 MRF7P20040HR5
PNEDA編號 MRF7P20040HR5
描述 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF7P20040HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF7P20040HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF7P20040HR5, MRF7P20040HR5數據表 (總頁數: 16, 大小: 545.97 KB)
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MRF7P20040HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.03GHz
增益18.2dB
電壓-測試32V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試150mA
功率-輸出10W
電壓-額定65V
包裝/箱NI780-4
供應商設備包裝NI-780-4

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噪聲系數

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當前-測試

500mA

功率-輸出

500W

電壓-額定

105V

包裝/箱

H-36275-4

供應商設備包裝

H-36275-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.93GHz ~ 1.99GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

850mA

功率-輸出

18W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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功率-輸出

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

2.6A

功率-輸出

320W

電壓-額定

65V

包裝/箱

H-37275G-6/2

供應商設備包裝

H-37275G-6/2

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

2.17GHz

增益

17.3dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

33W

電壓-額定

65V

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