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MRF6S19120HR5

MRF6S19120HR5

僅供參考

型號 MRF6S19120HR5
PNEDA編號 MRF6S19120HR5
描述 FET RF 68V 1.99GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19120HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19120HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19120HR5, MRF6S19120HR5數據表 (總頁數: 11, 大小: 797.17 KB)
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MRF6S19120HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益15dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1A
功率-輸出19W
電壓-額定68V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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噪聲系數

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450mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-272BB

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.16GHz ~ 2.17GHz

增益

13.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.05A

功率-輸出

23W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

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制造商

Broadcom Limited

系列

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5V

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頻率

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增益

12dB

電壓-測試

10V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

3dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

350W

電壓-額定

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供應商設備包裝

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