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MRF5S19150HR3

MRF5S19150HR3

僅供參考

型號 MRF5S19150HR3
PNEDA編號 MRF5S19150HR3
描述 FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF5S19150HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF5S19150HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF5S19150HR3, MRF5S19150HR3數據表 (總頁數: 10, 大小: 469.15 KB)
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MRF5S19150HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益14dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出32W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-880
供應商設備包裝NI-880

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噪聲系數

-

當前-測試

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電壓-額定

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包裝/箱

TO-220-3

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

800MHz

增益

-

電壓-測試

9V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

2dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

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電壓-額定

14V

包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

N-Channel

頻率

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增益

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電壓-測試

-

額定電流(安培)

10mA

噪聲系數

-

當前-測試

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-

電壓-額定

3V

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143B

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

22.7dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

350mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-272BC

供應商設備包裝

TO-272-2

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.93GHz ~ 1.99GHz

增益

19dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

29A

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

25W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-502B

供應商設備包裝

SOT502B

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