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MRF586

MRF586

僅供參考

型號 MRF586
PNEDA編號 MRF586
描述 RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF586資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF586
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MRF586規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)17V
頻率-過渡3GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益13.5dB
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益

13.5dB ~ 23.5dB

功率-最大

136mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 1mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

7dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

增益

9dB ~ 13dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 35mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-86

供應商設備包裝

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BFG35,115

NXP

制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

頻率-過渡

4GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

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