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MRF1K50GNR5

MRF1K50GNR5

僅供參考

型號 MRF1K50GNR5
PNEDA編號 MRF1K50GNR5
描述 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF1K50GNR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF1K50GNR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF1K50GNR5, MRF1K50GNR5數據表 (總頁數: 21, 大小: 821.6 KB)
PDFMRF1K50NR5數據表 封面
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MRF1K50GNR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.8MHz ~ 500MHz
增益23dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試-
功率-輸出1500W
電壓-額定50V
包裝/箱OM-1230G-4L
供應商設備包裝OM-1230G-4L

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

430mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1112A

供應商設備包裝

CDFM6

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.17GHz

增益

13.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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制造商

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

100mA

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額定電流(安培)

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噪聲系數

1.5dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

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制造商

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頻率

2.17GHz

增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

20mA

功率-輸出

2W

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