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MPSW13RLRAG

MPSW13RLRAG

僅供參考

型號 MPSW13RLRAG
PNEDA編號 MPSW13RLRAG
描述 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPSW13RLRAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPSW13RLRAG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPSW13RLRAG, MPSW13RLRAG數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.83 KB)
PDFMPSW13RLRAG數據表 封面
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MPSW13RLRAG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10000 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡125MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92 (TO-226)

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800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.33A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

18 @ 700mA, 5V

功率-最大

110W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

供應商設備包裝

TO-92-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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