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MPSH10G

MPSH10G

僅供參考

型號 MPSH10G
PNEDA編號 MPSH10G
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPSH10G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPSH10G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MPSH10G, MPSH10G數據表 (總頁數: 3, 大小: 82.51 KB)
PDFMPSH10RLRPG數據表 封面
MPSH10RLRPG數據表 頁面 2 MPSH10RLRPG數據表 頁面 3

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MPSH10G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

14dB

功率-最大

190mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

90mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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增益

-

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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