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MPS5179RLRAG

MPS5179RLRAG

僅供參考

型號 MPS5179RLRAG
PNEDA編號 MPS5179RLRAG
描述 RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS5179RLRAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS5179RLRAG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MPS5179RLRAG, MPS5179RLRAG數據表 (總頁數: 3, 大小: 42.37 KB)
PDFMPS5179RLRPG數據表 封面
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MPS5179RLRAG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡2GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大200W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2.25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89-3

MS2473

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6dB

功率-最大

2300W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

46A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M112

供應商設備包裝

M112

BGB 540 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

16dB ~ 17.5dB

功率-最大

120mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

20dB

功率-最大

135mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.3GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

增益

53dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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