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MPS3646

MPS3646

僅供參考

型號 MPS3646
PNEDA編號 MPS3646
描述 TRANS NPN 15V 0.3A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS3646資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS3646
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPS3646, MPS3646數據表 (總頁數: 7, 大小: 123.37 KB)
PDFMPS3646RLRAG數據表 封面
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MPS3646規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 30mA, 400mV
功率-最大625mW
頻率-過渡350MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

10MHz

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

2N6490G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

功率-最大

1.8W

頻率-過渡

5MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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