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MMBTH81

MMBTH81

僅供參考

型號 MMBTH81
PNEDA編號 MMBTH81
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 263,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH81資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH81
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH81, MMBTH81數據表 (總頁數: 11, 大小: 721.38 KB)
PDFMPSH81_D75Z數據表 封面
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MMBTH81規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

12dB ~ 17dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.15dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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