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MMBTA05LT1G

MMBTA05LT1G

僅供參考

型號 MMBTA05LT1G
PNEDA編號 MMBTA05LT1G
描述 TRANS NPN 60V 0.5A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 703,404
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 6 - 七月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA05LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA05LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA05LT1G, MMBTA05LT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 157.39 KB)
PDFMMBTA05LT1數據表 封面
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MMBTA05LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大225mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 400mA, 5V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 6mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

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安裝類型

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 5A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

50mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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