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MMBT6515

MMBT6515

僅供參考

型號 MMBT6515
PNEDA編號 MMBT6515
描述 TRANS NPN 25V 0.2A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT6515資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT6515
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT6515, MMBT6515數據表 (總頁數: 4, 大小: 103.11 KB)
PDFMMBT6515數據表 封面
MMBT6515數據表 頁面 2 MMBT6515數據表 頁面 3 MMBT6515數據表 頁面 4

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MMBT6515規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 2mA, 10V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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750mA

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 10V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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