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MMBT2907

MMBT2907 MMBT2907

僅供參考

型號 MMBT2907
PNEDA編號 MMBT2907
描述 TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT2907資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT2907
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT2907, MMBT2907數據表 (總頁數: 17, 大小: 905.96 KB)
PDFMMBT2907數據表 封面
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MMBT2907規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

275mV @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

3W

頻率-過渡

176MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1mA, 500mV

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-46-3

供應商設備包裝

TO-46-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 250mV

功率-最大

3.8W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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