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MMBT2222ALT3G

MMBT2222ALT3G

僅供參考

型號 MMBT2222ALT3G
PNEDA編號 MMBT2222ALT3G
描述 TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT2222ALT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT2222ALT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT2222ALT3G, MMBT2222ALT3G數據表 (總頁數: 8, 大小: 219.06 KB)
PDFMMBT2222LT3G數據表 封面
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MMBT2222ALT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大300mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 20mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

供應商設備包裝

TO-92MOD

BC308CBU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20A, 4V

功率-最大

250W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

TO-3 (TO-204AA)

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 2mA, 4.5V

功率-最大

-

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92

MPS3703

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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