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MMBFJ112

MMBFJ112

僅供參考

型號 MMBFJ112
PNEDA編號 MMBFJ112
描述 JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.1906
500 ---------- $0.1817
1,000 ---------- $0.1727
2,500 ---------- $0.1638
5,000 ---------- $0.1563
10,000 ---------- $0.1489
庫存 238,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ112資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ112
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ112, MMBFJ112數據表 (總頁數: 10, 大小: 414.38 KB)
PDFMMBFJ111數據表 封面
MMBFJ111數據表 頁面 2 MMBFJ111數據表 頁面 3 MMBFJ111數據表 頁面 4 MMBFJ111數據表 頁面 5 MMBFJ111數據表 頁面 6 MMBFJ111數據表 頁面 7 MMBFJ111數據表 頁面 8 MMBFJ111數據表 頁面 9 MMBFJ111數據表 頁面 10

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MMBFJ112規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

350mW

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

6 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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