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MMBFJ111

MMBFJ111

僅供參考

型號 MMBFJ111
PNEDA編號 MMBFJ111
描述 JFET N-CH 35V 350MW SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.9112
500 ---------- $0.8685
1,000 ---------- $0.8258
2,500 ---------- $0.7831
5,000 ---------- $0.7475
10,000 ---------- $0.7119
庫存 30,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ111資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ111
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ111, MMBFJ111數據表 (總頁數: 10, 大小: 414.38 KB)
PDFMMBFJ111數據表 封面
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MMBFJ111規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2.6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

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安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

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-

FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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