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MJF6668

MJF6668

僅供參考

型號 MJF6668
PNEDA編號 MJF6668
描述 TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJF6668資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJF6668
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJF6668, MJF6668數據表 (總頁數: 8, 大小: 190.74 KB)
PDFMJF6668G數據表 封面
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MJF6668規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 100mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce3000 @ 3A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1.25A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5.5 @ 5A, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

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