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MJE521G

MJE521G

僅供參考

型號 MJE521G
PNEDA編號 MJE521G
描述 TRANS NPN 40V 4A TO225AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE521G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE521G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE521G, MJE521G數據表 (總頁數: 4, 大小: 62.09 KB)
PDFMJE521G數據表 封面
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MJE521G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1A, 1V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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100 @ 150mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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