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MJE270G

MJE270G

僅供參考

型號 MJE270G
PNEDA編號 MJE270G
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE270G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE270G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE270G, MJE270G數據表 (總頁數: 3, 大小: 103.66 KB)
PDFMJE271G數據表 封面
MJE271G數據表 頁面 2 MJE271G數據表 頁面 3

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MJE270G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 1.2mA, 120mA
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1500 @ 120mA, 10V
功率-最大1.5W
頻率-過渡6MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

950mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 1V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

功率-最大

360mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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