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MJE182

MJE182

僅供參考

型號 MJE182
PNEDA編號 MJE182
描述 TRANS NPN 80V 3A SOT-32
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE182資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE182
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE182, MJE182數據表 (總頁數: 7, 大小: 109.83 KB)
PDFMJE182數據表 封面
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MJE182規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.7V @ 600mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 100mA, 1V
功率-最大12.5W
頻率-過渡50MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝SOT-32-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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