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MJD45H11TM

MJD45H11TM

僅供參考

型號 MJD45H11TM
PNEDA編號 MJD45H11TM
描述 TRANS PNP 80V 8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 26 - 七月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD45H11TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD45H11TM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD45H11TM, MJD45H11TM數據表 (總頁數: 7, 大小: 286.56 KB)
PDFMJD45H11TM數據表 封面
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MJD45H11TM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大1.75W
頻率-過渡40MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

160mV @ 200mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 70mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 1.25A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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