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MJD44E3T4G

MJD44E3T4G

僅供參考

型號 MJD44E3T4G
PNEDA編號 MJD44E3T4G
描述 TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 173,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD44E3T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD44E3T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD44E3T4G, MJD44E3T4G數據表 (總頁數: 3, 大小: 123.32 KB)
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MJD44E3T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 20mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 5V
功率-最大1.75W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

11 @ 2A, 5V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

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工作溫度

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