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MJD42C

MJD42C

僅供參考

型號 MJD42C
PNEDA編號 MJD42C
描述 TRANS PNP 100V 6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD42C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD42C
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD42C, MJD42C數據表 (總頁數: 7, 大小: 84.04 KB)
PDFMJD42CRL數據表 封面
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MJD42C規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 600mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 3A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 4V

功率-最大

40W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 900mA, 9A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

功率-最大

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