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MJD32CT4-A

MJD32CT4-A

僅供參考

型號 MJD32CT4-A
PNEDA編號 MJD32CT4-A
描述 TRANS PNP 100V 3A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 26,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD32CT4-A資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD32CT4-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD32CT4-A, MJD32CT4-A數據表 (總頁數: 14, 大小: 360.71 KB)
PDFMJD32CT4-A數據表 封面
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MJD32CT4-A規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大15W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 6A, 30A

當前-集電極截止(最大值)

10mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 15A, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3000 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.1V @ 250µA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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