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MJD31CT4

MJD31CT4

僅供參考

型號 MJD31CT4
PNEDA編號 MJD31CT4
描述 TRANS NPN 100V 3A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 44,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD31CT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD31CT4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD31CT4, MJD31CT4數據表 (總頁數: 13, 大小: 399.67 KB)
PDFMJD31C數據表 封面
MJD31C數據表 頁面 2 MJD31C數據表 頁面 3 MJD31C數據表 頁面 4 MJD31C數據表 頁面 5 MJD31C數據表 頁面 6 MJD31C數據表 頁面 7 MJD31C數據表 頁面 8 MJD31C數據表 頁面 9 MJD31C數據表 頁面 10 MJD31C數據表 頁面 11

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MJD31CT4規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大15W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

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