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MJD31C1

MJD31C1

僅供參考

型號 MJD31C1
PNEDA編號 MJD31C1
描述 TRANS NPN 100V 3A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD31C1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD31C1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD31C1, MJD31C1數據表 (總頁數: 12, 大小: 239 KB)
PDFMJD32CRL數據表 封面
MJD32CRL數據表 頁面 2 MJD32CRL數據表 頁面 3 MJD32CRL數據表 頁面 4 MJD32CRL數據表 頁面 5 MJD32CRL數據表 頁面 6 MJD32CRL數據表 頁面 7 MJD32CRL數據表 頁面 8 MJD32CRL數據表 頁面 9 MJD32CRL數據表 頁面 10 MJD32CRL數據表 頁面 11

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MJD31C1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大1.56W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 100mA

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400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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