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MJD2955T4G

MJD2955T4G

僅供參考

型號 MJD2955T4G
PNEDA編號 MJD2955T4G
描述 TRANS PNP 60V 10A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 60,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD2955T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD2955T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD2955T4G, MJD2955T4G數據表 (總頁數: 7, 大小: 132.58 KB)
PDFMJD3055G數據表 封面
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MJD2955T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡2MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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Surface Mount

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20nA

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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