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MJD127G

MJD127G

僅供參考

型號 MJD127G
PNEDA編號 MJD127G
描述 TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD127G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD127G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD127G, MJD127G數據表 (總頁數: 8, 大小: 100.84 KB)
PDFMJD122T4數據表 封面
MJD122T4數據表 頁面 2 MJD122T4數據表 頁面 3 MJD122T4數據表 頁面 4 MJD122T4數據表 頁面 5 MJD122T4數據表 頁面 6 MJD122T4數據表 頁面 7 MJD122T4數據表 頁面 8

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MJD127G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 80mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 4A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

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