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MJD112TF

MJD112TF

僅供參考

型號 MJD112TF
PNEDA編號 MJD112TF
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD112TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD112TF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD112TF, MJD112TF數據表 (總頁數: 10, 大小: 148.1 KB)
PDFMJD117RLG數據表 封面
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MJD112TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 2A, 3V
功率-最大1.75W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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ON Semiconductor

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.5mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

25W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1.6A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 8mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 500mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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