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MJ21195G

MJ21195G

僅供參考

型號 MJ21195G
PNEDA編號 MJ21195G
描述 TRANS PNP 250V 16A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJ21195G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJ21195G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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MJ21195G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 3.2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 8A, 5V
功率-最大250W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 100mA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

30nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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1A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

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