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MJ11022G

MJ11022G

僅供參考

型號 MJ11022G
PNEDA編號 MJ11022G
描述 TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJ11022G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJ11022G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJ11022G, MJ11022G數據表 (總頁數: 5, 大小: 127.06 KB)
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MJ11022G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3.4V @ 150mA, 15A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce400 @ 10A, 5V
功率-最大175W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 800mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 No Tab

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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