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MCH6123-TL-E

MCH6123-TL-E

僅供參考

型號 MCH6123-TL-E
PNEDA編號 MCH6123-TL-E
描述 TRANS PNP 50V 3A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6123-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6123-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MCH6123-TL-E, MCH6123-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 504.77 KB)
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MCH6123-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic650mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡390MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 60mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

450 @ 500mA, 2V

功率-最大

550mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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