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MCH6121-TL-H

MCH6121-TL-H

僅供參考

型號 MCH6121-TL-H
PNEDA編號 MCH6121-TL-H
描述 TRANS PNP 12V 3A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6121-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6121-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MCH6121-TL-H, MCH6121-TL-H數據表 (總頁數: 6, 大小: 514.35 KB)
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MCH6121-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic165mV @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡380MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 150mA, 10V

功率-最大

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

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頻率-過渡

80MHz

工作溫度

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