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MCH5908G-TL-E

MCH5908G-TL-E

僅供參考

型號 MCH5908G-TL-E
PNEDA編號 MCH5908G-TL-E
描述 JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH5908G-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH5908G-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MCH5908G-TL-E, MCH5908G-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 290.75 KB)
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MCH5908G-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)10mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID300mV @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10.5pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝5-MCPH

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 15V (VGS)

電阻-RDS(On)

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1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

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30V

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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7mA @ 15V

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電流消耗(Id)-最大

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300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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