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MCH3209-TL-E

MCH3209-TL-E

僅供參考

型號 MCH3209-TL-E
PNEDA編號 MCH3209-TL-E
描述 TRANS NPN 30V 3A MCPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH3209-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH3209-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MCH3209-TL-E, MCH3209-TL-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 401.94 KB)
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MCH3209-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic155mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡450MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝3-MCPH

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220-3

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 200µA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7000 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 35mA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 10V

功率-最大

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