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MC33153DR2G

MC33153DR2G

僅供參考

型號 MC33153DR2G
PNEDA編號 MC33153DR2G
描述 IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC33153DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC33153DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
MC33153DR2G, MC33153DR2G數據表 (總頁數: 14, 大小: 163.3 KB)
PDFMC33153D數據表 封面
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MC33153DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電11V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH1.2V, 3.2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)1A, 2A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)17ns, 17ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 6.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.5V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.2A, 3.2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

42V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道類型

Synchronous

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

210mA, 360mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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驅動配置

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.7V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

16ns, 16ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.6V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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