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MC1331

MC1331

僅供參考

型號 MC1331
PNEDA編號 MC1331
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC1331資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC1331
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MC1331規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

15dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microsemi Corporation

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB ~ 10.5dB

功率-最大

125W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

CEL

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3V

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12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 2GHz

增益

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功率-最大

90mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 1V

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30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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