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MBRT12035R

MBRT12035R

僅供參考

型號 MBRT12035R
PNEDA編號 MBRT12035R
描述 DIODE MODULE 35V 120A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT12035R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT12035R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT12035R, MBRT12035R數據表 (總頁數: 3, 大小: 687.31 KB)
PDFMBRT12040R數據表 封面
MBRT12040R數據表 頁面 2 MBRT12040R數據表 頁面 3

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MBRT12035R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

850µA @ 60V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 18A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

6µA @ 1000V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

-

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制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

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二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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-

當前-反向泄漏@ Vr

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