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MBRA210LT3G

MBRA210LT3G MBRA210LT3G

僅供參考

型號 MBRA210LT3G
PNEDA編號 MBRA210LT3G
描述 DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 249,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 13 - 十二月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRA210LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRA210LT3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MBRA210LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)10V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果350mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr700µA @ 10V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.65V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.68V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 80V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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