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MBC13900T1

MBC13900T1

僅供參考

型號 MBC13900T1
PNEDA編號 MBC13900T1
描述 RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBC13900T1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBC13900T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MBC13900T1, MBC13900T1數據表 (總頁數: 24, 大小: 799.06 KB)
PDFMBC13900NT1數據表 封面
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MBC13900T1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6.5V
頻率-過渡15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
增益15dB ~ 22dB
功率-最大188mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝SOT-343

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

增益

13dB ~ 15.5dB

功率-最大

1.25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

20GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.5dB

功率-最大

735mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 100mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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10dB

功率-最大

70W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

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