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MB85AS4MTPF-G-BCERE1

MB85AS4MTPF-G-BCERE1

僅供參考

型號 MB85AS4MTPF-G-BCERE1
PNEDA編號 MB85AS4MTPF-G-BCERE1
描述 IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP
制造商 Fujitsu Electronics
單價 請求報價
庫存 19,296
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB85AS4MTPF-G-BCERE1資源

品牌 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB85AS4MTPF-G-BCERE1
類別半導體內存IC內存
數據表
MB85AS4MTPF-G-BCERE1, MB85AS4MTPF-G-BCERE1數據表 (總頁數: 28, 大小: 939.18 KB)
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MB85AS4MTPF-G-BCERE1規格

制造商Fujitsu Electronics America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式RAM
技術ReRAM (Resistive RAM)
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率5MHz
寫周期-字,頁17ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

16Gb (128M x 128)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (16K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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