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M93C66-WDW6TP

M93C66-WDW6TP

僅供參考

型號 M93C66-WDW6TP
PNEDA編號 M93C66-WDW6TP
描述 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 163,137
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M93C66-WDW6TP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M93C66-WDW6TP
類別半導體內存IC內存
數據表
M93C66-WDW6TP, M93C66-WDW6TP數據表 (總頁數: 35, 大小: 1,255.77 KB)
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M93C66-WDW6TP規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (512 x 8, 256 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率2MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (128K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

9ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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